美消费者与小企业状告三星等三巨头内存价格操纵,韩企扩产防中企‘偷家’

美消费者与小企业状告三星等三巨头内存价格操纵,韩企扩产防中企‘偷家’
【三巨头被指控内存价格操纵‘同步’减产引争议】6月25日14名美国消费者和3家PC零售小企业在加州北区联邦法院起诉三星、SK海力士、美光及其美国子公司。核心指控是这三家占据全球九成以上DRAM市场的寡头从2022年起同步削减传统DDR3、DDR4产能转产高利润的HBM内存以‘AI技术转型’为幌子人为制造消费级内存供应缺口使价格拉涨700%。【存储行业前科价格操纵旧案重提】存储行业价格操纵并非首次。早在2000年初三星、海力士、美光等厂商就曾私下串通定价炒高DRAM价格。后来美国司法部介入三星认罪交3亿美元罚款欧盟开3.3亿欧元罚单美光告密免罚。此次原告搬出前科指三巨头故技重施。不过美国反垄断案证明‘显性合谋’需实锤证据2022年类似诉讼因原告拿不出明确协议证据被驳回。【三星巨额投资扩产防中企‘偷家’】这起反垄断诉讼给韩企带来危机感。当下AI热潮中HBM需求暴涨但传统DDR需求仍在。三星、SK海力士有能力扩产DRAM以避免被起诉。6月29日韩国官宣800万亿韩元半导体投资约三成用于西南部新建巨型晶圆厂三星欲集中HBM产能把控DRAM市场防止传统存储被中企抢占。【中国芯片崛起长鑫存储供货弹性大】国产存储进程加快自给率从5%提升到25%预计2028年超30%。长江存储3D NAND密度全球顶尖长鑫存储DDR4、LPDDR4量产LPDDR5X进入大客户供应链。长鑫存储产能集中在通用DRAM领域供货弹性好。苹果公司正游说美国政府希望获批采购长鑫存储内存芯片。编辑观点此次反垄断诉讼给中企带来缓冲期韩企需应对中美双重压力。中企背靠大市场有机会在存储芯片领域突围与韩企展开激烈竞争。