RCD吸收电路RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成。电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路与RC电路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收电阻在一定程度上降低了损耗。若开关断开蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时吸收二极管导通开关电压被吸收二极管所嵌位约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间吸收电容通过电阻放电。一﹑首先对mos管的VD进行分段Ⅰ输入的直流电压VDCⅡ次级反射初级的VORⅢ主MOS管VD余量VDSⅣRCD吸收有效电压VRCD1。二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算Ⅰ输入的直流电压VDC。在计算VDC时是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V即DC375V。VDCVAC *√2Ⅱ次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的如输出电压为5.0V±5%依Vo 5.25V计算二极管VF为0.525V此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值VOR(VF Vo)*Np/NsⅢ主MOS管VD的余量VDSVDS是依MOS管VD的10%为最小值如KA05H0165R的VD650应选择DC65VVDSVD* 10%ⅣRCD吸收VRCDMOS管的VD减去ⅠⅢ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性温度漂移和时间飘移等因素得影响。VRCD(VD-VDC -VDS)*90%