6.1 DDR功耗模型：Active / Precharge / Self-RefreshDDR的功耗状态，说白了就三种：干活、待命、睡觉。我习惯把它们叫做Active、Precharge和Self-Refresh。6.1.1 Active状态Active就是DDR正在读写数据。这时候Bank是打开的，Row被激活了。功耗主要来自三块：激活电流（I_ACT）：打开Row时瞬间的大电流，有点像汽车起步那一下读写电流（I_RW）：数据在DQ线上来回跑，频率越高电流越大终止电流（I_Term）：信号完整性需要的端接电阻，这个很多人会忽略我在项目中遇到过一个问题：DDR在Active状态下功耗比预期高了15%。查了半天，发现是Bank冲突太多，导致频繁的Activate和Precharge。嗯，这里要注意，Bank冲突会让功耗直线上升。6.1.2 Precharge状态Precharge就是Bank关闭了，Row也关了，但CKE（时钟使能）还开着。这时候DDR处于低功耗待命状态，随时可以切回Active。Precharge的功耗主要来自：预充电电流（I_PRE）：关闭Row时给Bitline充电时钟树电流（I_CK）：时钟还在跑，PLL还在工作说白了，Precharge就是「我准备好了，但还没开始干活」。功耗大概是Active的30%-50%。6.1.3 Self-Refresh状态Self-Refresh是DDR的深度睡眠模式。这时候DDR自己给自己刷新，不需要外部时钟。功耗最低，但唤醒延迟也最大。我做过一个测试：LPDDR5在Self-Refresh模式下，功耗只有Active的1%左右。但唤醒时间需要几百纳秒到几微秒。所以什么时候 6、DDR功耗管理：DDR功耗模型（Active/Precharge/Self-Refresh）、动态电压频率调整（DVFS）、高通平台功耗优化策略
6.1 DDR功耗模型：Active / Precharge / Self-RefreshDDR的功耗状态，说白了就三种：干活、待命、睡觉。我习惯把它们叫做Active、Precharge和Self-Refresh。6.1.1 Active状态Active就是DDR正在读写数据。这时候Bank是打开的，Row被激活了。功耗主要来自三块：激活电流（I_ACT）：打开Row时瞬间的大电流，有点像汽车起步那一下读写电流（I_RW）：数据在DQ线上来回跑，频率越高电流越大终止电流（I_Term）：信号完整性需要的端接电阻，这个很多人会忽略我在项目中遇到过一个问题：DDR在Active状态下功耗比预期高了15%。查了半天，发现是Bank冲突太多，导致频繁的Activate和Precharge。嗯，这里要注意，Bank冲突会让功耗直线上升。6.1.2 Precharge状态Precharge就是Bank关闭了，Row也关了，但CKE（时钟使能）还开着。这时候DDR处于低功耗待命状态，随时可以切回Active。Precharge的功耗主要来自：预充电电流（I_PRE）：关闭Row时给Bitline充电时钟树电流（I_CK）：时钟还在跑，PLL还在工作说白了，Precharge就是「我准备好了，但还没开始干活」。功耗大概是Active的30%-50%。6.1.3 Self-Refresh状态Self-Refresh是DDR的深度睡眠模式。这时候DDR自己给自己刷新，不需要外部时钟。功耗最低，但唤醒延迟也最大。我做过一个测试：LPDDR5在Self-Refresh模式下，功耗只有Active的1%左右。但唤醒时间需要几百纳秒到几微秒。所以什么时候